消息表明三星有望從其第10代NAND開(kāi)始采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。
此前消息表明，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層，使用了Xtacking 4.0架構(gòu)，成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前并未公開(kāi)披露新架構(gòu)以及新款閃存的信息，但是目前已經(jīng)正式上市開(kāi)售的新款致態(tài)TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已經(jīng)確認(rèn)搭載該款新架構(gòu)閃存，也成為了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的里程碑時(shí)刻。而據(jù)外媒消息表明，三星有望從其第10代NAND開(kāi)始采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利混合鍵合技術(shù)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)四年前率先將“晶棧（Xtacking）”架構(gòu)混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND閃存，伴隨著技術(shù)發(fā)展，長(zhǎng)存也在這一技術(shù)上積累了大量專(zhuān)利。三星在之前的NAND閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結(jié)構(gòu)，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過(guò)當(dāng)層數(shù)超過(guò)400層時(shí)，下層外圍電路的壓力會(huì)影響可靠性。改用混合鍵合技術(shù)后，消除了對(duì)凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。
三星的目標(biāo)是在2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行專(zhuān)利協(xié)議的談判。據(jù)了解，目前Xperi、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、以及臺(tái)積電擁有大多數(shù)混合鍵合技術(shù)的專(zhuān)利。三星之所以選擇與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作，很大程度上是因?yàn)榻酉聛?lái)的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過(guò)后者的專(zhuān)利，SK海力士可能面臨相同的處境。 
